SIR798DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SIR798DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.05 Ohm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Andere Namen | SIR798DP-T1-GE3-ND SIR798DP-T1-GE3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
SIR798DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR798DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V
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MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIR798DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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